收藏本站
Si7216DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
65
52
39
26
13
0
Package Limited
0
25
50
75
100
125
150
T - Case Temperat u re (°C)
C
Current Derating*
25
20
1. 8
1.5
1.2
15
0.9
10
0.6
5
0
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 73771
S11-1142-Rev. C, 13-Jun-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7222DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK
SI7228DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7230DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7272DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7326DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7328DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7342DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7370DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI7217-B-01-IV 功能描述:MANGETIC SENSOR LINEAR ANALOG 制造商:silicon labs 系列:* 包装:剪带 零件状态:在售 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:300
SI7218DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 24A 23W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7218DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7220DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7220DN_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7220DN-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7220DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7222DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET